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本发明涉及空穴势垒层技术领域，提供了一种超晶格梯度能带空穴势垒层结构，包括n级超晶格层，每级超晶格层均包括由下向上依次生长的InAs层、第一GaSb层、AlSb层以及第二GaSb层，其中，所述InAs层的周期厚度为A，所述GaSb层的厚度周期为所述AlSb层的厚度周期为C，所述第二AaSb层的厚度周期为在第n级超晶格层中，x＝n‑1，且在每级超晶格层中，总厚度周期A+B+C均相等。还提供一种红外探测器，包括上述的超晶格梯度能带空穴势垒层结构。本发明通过改变各级超晶格层中AlSb层的插入位置，即处
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112201712 A
(43)申请公布日 2021.01.08
(21)申请号 202010997397.1
(22)申请日 2020.09.21
(71)申请人 武汉高芯科技有限公司
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