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本发明公开了一种低腐蚀隧道密度人造石英晶体籽晶培育方法,包括:包括如下步骤:选取人造石英块状籽晶;在籽晶+x晶向开槽,将籽晶制成U型籽晶块;将优质石英原料破碎成块状,经过水洗、碱洗、水洗稀释、烘干,放入高压釜下部溶解区;将籽晶块腐蚀后,用挡板遮挡U型块状籽晶两侧和底面,U型槽开口向下悬挂在晶体生长架上,将晶体生长架放入高压釜内上部生长区;待U型槽内部填满,形成人造石英晶体完整外形后停止生长,去除籽晶原有U型部分,提取U型槽内新填充部分石英晶体,得到低腐蚀隧道密度人造石英晶体籽晶。本发明能够解决低
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112176408 A
(43)申请公布日 2021.01.05
(21)申请号 202010987011.9
(22)申请日 2020.09.18
(71)申请人 烁光特晶科技有限公司
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