硅半导体基板的刻蚀方法、半导体装置的制造方法以及刻蚀液.pdfVIP

硅半导体基板的刻蚀方法、半导体装置的制造方法以及刻蚀液.pdf

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本发明的硅半导体基板的刻蚀方法包括：在硅半导体基板的表面形成包含贵金属层的催化剂层的工序；以及使在表面形成有所述催化剂层的硅半导体基板浸渍于包含氢氟酸、氧化剂以及超过0ppm且5ppm以下的表面活性剂的刻蚀液的工序。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112204714 A (43)申请公布日 2021.01.08 (21)申请号 201980036030.9 渡边秀树　渡口繁　 (22)申请日 2019.05

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