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本发明公开了肖特基二极管及其制作方法。肖特基二极管包括:位于衬底一侧的外延层,包括漂移区、第二掺杂类型区和多个孤立的结型场效应区,漂移区和结型场效应区具有第一掺杂类型,第二掺杂类型区和结型场效应区位于漂移区远离衬底的一侧,第二掺杂类型区环绕结型场效应区设置且连通,第二掺杂类型区中的第一子区域和第二子区域分别位于相邻两个结型场效应区之间,第二子区域的面积大于第一子区域的面积;第一金属层位于外延层远离衬底的一侧,并与第二掺杂类型区形成欧姆接触;第二金属层覆盖外延层和第一金属层,并与结型场效应区形成肖
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112201698 A
(43)申请公布日 2021.01.08
(21)申请号 202011018692.4 H01L 21/34 (2006.01)
(22)申请日 2
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