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2023-05-24 发布于四川
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一种深紫外LED封装结构及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种深紫外LED封装结构及其制备方法，其中无机深紫外LED封装结构包括陶瓷基板、玻璃盖板和LED芯片，陶瓷基板安装有若干个LED芯片，玻璃盖板贴合在陶瓷基板装有LED芯片一侧；玻璃盖板设置有容纳LED芯片的凹槽，凹槽的内表面与LED芯片的边缘贴合或留有间隙。采用平面陶瓷基板大大降低器件材料成本，直接采用平面玻璃盖板上设置有容纳LED芯片的凹槽，凹槽大小与LED芯片的大小相等或略大于LED芯片，因此玻璃盖板在盖合后，深紫外LED芯片与玻璃盖板几乎完全贴合，光线直接由LED芯片射入玻璃盖板

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112201648 A (43)申请公布日 2021.01.08 (21)申请号 202011023842.0 H01L 33/62 (2010.01) (22)申请日 2

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