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集成有选择元件的相变存储器及其制造方法.pdfVIP

集成有选择元件的相变存储器及其制造方法.pdf

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    公开了一种相变存储器，为了减轻现有的OTS的问题和缺点，所述相变存储器包括由于消除了对中间电极的需要而具有改善的密度的选择元件，并且公开了一种包括该选择元件的相变存储器元件，该相变存储器元件具有高度密集的三维架构。该相变存储器元件具有包括P型相变材料层和N型金属氧化物层的PN二极管结构。此外，该相变存储器元件包括半导体材料层，该半导体材料层借助于电极界面的肖特基二极管性质而切换到相变材料层。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112204746 A (43)申请公布日 2021.01.08 (21)申请号 201980033781.5 (74)专利代理机构 北京市立方律师事务所

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