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一种超临界二氧化碳脉冲可控生长二维半导体薄膜的方法,属于纳米复合材料薄膜制备领域。本发明方法采用超临界二氧化碳作为输运介质,增加前驱体的浓度、降低生长温度、减少环境污染;通过脉冲控制区对前驱体流量精准调控,减少前驱体用量、降低制备成本;利用快速泄压形成晶种,益于二维半导体薄膜的生长、提高生长效率;选择不同的前驱体与合适载体可达到制备异质复合膜的目的;可解决CVD方法反应温度较高、薄膜质量不可控和ALD成膜效率低的问题。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112176320 A
(43)申请公布日 2021.01.05
(21)申请号 202010950444.7 C23C 16/18 (2006.01)
(22)申请日 2
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