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2023-05-24 发布于四川
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本申请公开了一种负载效应的监控方法和版图，该方法包括：通过光刻工艺在晶圆上形成至少两种类型的器件图形和量测图形，不同类型的图形的特征尺寸不同，量测图形的特征尺寸大于器件图形；进行刻蚀，晶圆被器件图形所暴露的区域被刻蚀形成器件沟槽，晶圆被量测图形暴露的区域被刻蚀形成量测沟槽；通过原子力显微镜量测量测沟槽的深度，根据量测沟槽的深度监控不同类型的器件沟槽之间的负载效应。本申请通过原子力显微镜量测得到量测沟槽的深度，通过不同类型的量测沟槽的深度监控不同类型的器件沟槽之间的负载效应，由于不需要对晶圆进行切

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112185836 A (43)申请公布日 2021.01.05 (21)申请号 202011021122.0 (22)申请日 2020.09.25 (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司

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