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本申请提供一种套刻标识、晶圆的套刻误差测量方法及晶圆的堆叠方法。该套刻标识包括第一制层上的第一套刻标识以及第二制层上的第二套刻标识,第一制层与第二制层层叠设置,其中,第一套刻标识包括至少一个第一套刻标记,第一套刻标记为圆形;第二套刻标识包括第二套刻标记,第二套刻标记为包括多个直线型图形的中心对称图形。该套刻标识中的第一套刻标识能够设计在需要进行开孔制程的制层上,以基于该套刻标识对需要进行开孔制程的制层的套刻误差进行测量。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112201645 A
(43)申请公布日 2021.01.08
(21)申请号 202010988212.0
(22)申请日 2020.09.18
(71)申请人 武汉新芯集成电路制造有限公司
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