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一种双端口SRAM存储单元，包括第一至第四NMOS；第一、第二NMOS的栅极与第三、第四NMOS的漏极共同连接字线；第一NMOS的源极连接第一位线；第三NMOS的源极连接第四位线；第二NMOS的源极连接第三位线；第四NMOS的源极连接第二位线；设有输入节点Q和输出节点Qb的锁存器；第一NMOS的漏极、第三NMOS的栅极共同连接至锁存器的输入节点Q；第二NMOS的漏极、第四NMOS的栅极共同连接至锁存器的输出节点Qb。本发明在不改变传统SRAM单元长宽尺寸的情况下，通过八颗晶体管的再排布，显著改善
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112185446 A
(43)申请公布日 2021.01.05
(21)申请号 202010992759.8
(22)申请日 2020.09.21
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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