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本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。在p型GaN层与p型接触层之间增加插入层，插入层包括依次层叠在p型GaN层上的Mg量子点层与第一GaN层。Mg量子点层包括多个分布在p型GaN层上的多个Mg量子点，多个Mg量子点与p型GaN层及第一GaN层之间的界面会较为粗糙，可以增加光线在p型GaN层的界面处的漫反射，而减小光线在p型GaN层的界面处可能出现的全反射，从而提高光线的出射率。第一GaN层可以覆盖Mg量子点层较为粗糙的表面，保证在第一GaN层上生长的p型接触层的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112186081 A
(43)申请公布日 2021.01.05
(21)申请号 202011042951.7
(22)申请日 2020.09.28
(71)申请人 华灿光电（苏州）有限公司
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