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2023-05-24 发布于四川
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本申请实施例公开了一种薄膜沉积系统及镀膜方法，包括：具有真空腔的真空室；设置在真空腔内的溅射源，溅射源包括溅射口；设置在真空腔内的电子束蒸发源，电子束蒸发源包括喷射口；固定架，固定架活动设置在真空腔上，固定架上设置有用于固定芯片的安装区；溅射源与电子束蒸发源错开设置；以及动作机构，动作机构用于驱动固定架在第一位置和第二位置之间切换；当固定架处于第一位置，溅射源的溅射口对准固定架上的芯片；当固定架处于第二位置，电子束蒸发源的喷射口对准固定架上的芯片。本申请实施例的一种薄膜沉积系统及镀膜方法，具有成

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112195443 A (43)申请公布日 2021.01.08 (21)申请号 202010962979.6 (22)申请日 2020.09.14 (71)申请人武汉电信器件有限公司

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