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本发明提供在基片上形成薄膜时,膜厚的控制性高的技术。一种使用原子层沉积法在基片上形成薄膜的方法,其包括将前体供给到上述基片的步骤,其中,上述前体是具有一个氨基的氨基硅烷,上述步骤中的上述前体的供给时间小于上述前体在上述基片的吸附量达到饱和的时间。选择具有一个氨基的氨基硅烷作为前体,使其供给时间小于前体的吸附量达到饱和的时间,因此能够提高膜厚的控制性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112204715 A
(43)申请公布日 2021.01.08
(21)申请号 201980035657.2 (74)专利代理机构 北京尚诚知识产权代理有限
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