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本发明公开了一种基于湿法腐蚀的薄膜图形刻蚀方法,包括以下具体步骤:S1、在衬底上生长缓冲层和牺牲层;S2、在牺牲层上生长或溅镀与牺牲层化学性质不同的薄膜层;S3、在薄膜层上进行光刻工艺,刻蚀所需要的图形;S4、利用湿法腐蚀的加工工艺在薄膜层上刻蚀图案;S5、调配一定比例的腐蚀溶液,用于薄膜层和衬底的分离,最终得到带图案的薄膜工艺。本发明与现有技术相比的优点在于:制备的带有图形结构的薄膜可以应用到多个领域,如耳机,麦克风等,且薄膜厚度可控,在薄膜上可以刻蚀多种图形,工艺步骤简单合理,刻蚀效果好,大
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112185813 A
(43)申请公布日 2021.01.05
(21)申请号 202010980308.2
(22)申请日 2020.09.17
(71)申请人 南京信光半导体科技有限公司
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