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本发明公开了一种具有背接触结构的硒化锑太阳电池及其制备方法与应用。所述硒化锑太阳电池自下而上依次包括：透明导电电极、高阻层、n型电子传输层、p型吸收层、背接触缓冲层、金属电极，其中，背接触缓冲层的材料为取向性一维Ⅵ族半导体材料。本发明通过采用取向性一维Ⅵ族半导体材料作为背接触缓冲层显著抑制了背接触面载流子复合，提高了空穴的收集效率，降低了接触电阻，进而提高硒化锑薄膜太阳电池器件性能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112201699 A
(43)申请公布日 2021.01.08
(21)申请号 202011019743.5
(22)申请日 2020.09.25
(71)申请人 暨南
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