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用于改善晶圆翘曲的SGT器件及其制作方法.pdfVIP

用于改善晶圆翘曲的SGT器件及其制作方法.pdf

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    本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种用于改善晶圆翘曲的SGT器件及其制作方法。其中T器件包括：衬底层，所述衬底层中形成栅结构，所述栅结构从所述衬底层的上表面向下延伸，在所述栅结构两侧的所述衬底层中，分别形成源极和漏极；所述栅结构包括：屏蔽栅结构，所述屏蔽栅结构包括屏蔽栅介电层，和，包围所述屏蔽栅介电层下部外周的场板氧化层；所述屏蔽栅结构的上部两侧分别形成控制栅结构，所述控制栅结构的外周形成第一热氧化层，所述第一热氧化层的外周形成第二热氧化层。用于改善晶圆翘曲的SGT器件及其制作方法

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112186041 A (43)申请公布日 2021.01.05 (21)申请号 202011008913.X (22)申请日 2020.09.23 (71)申请人 华虹

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