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绝缘体上覆硅背侧触点.pdfVIP

绝缘体上覆硅背侧触点.pdf

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    在某些方面，一种装置包括：在背绝缘层上具有作为源极或漏极的扩散区的SOIMOSFET，其中该扩散区具有前扩散侧以及与该前扩散侧相对的背扩散侧；在该前扩散侧上具有面向该扩散区的背硅化物侧以及与该背硅化物侧相对的前硅化物侧的硅化物层；以及连接至该硅化物层的背侧触点，其中该背侧触点的至少一部分在该背绝缘层中。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112204727 A (43)申请公布日 2021.01.08 (21)申请号 201980035678.4 (74)专利代理机构 上海专利商标事务所有限公

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    知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来， 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作， 经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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