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薄膜晶体管及其制造方法.pdfVIP

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    薄膜晶体管(101)包括支承于基板(1)的栅电极(2)、覆盖栅电极的栅极绝缘层(3)、配置于栅极绝缘层上且包含多晶硅区域(4p)的半导体层，多晶硅区域(4p)具有：半导体层(4)，其包括第一区域(Rs)、第二区域(Rd)、以及位于第一区域与第二区域之间的沟道区域(Rc)；源电极(8s)，其与第一区域电连接；以及漏电极(8d)，其与第二区域电连接，在沟道区域上还具有以与沟道区域直接接触的方式配置的由本征的半导体构成的至少一个i型半导体岛(10)，i型半导体岛具有比多晶硅区域大的带隙，在从基板的法线

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112236867 A (43)申请公布日 2021.01.15 (21)申请号 201880094275.2 (51)Int.Cl.

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