半导体光敏器件的制造.pdfVIP

半导体光敏器件的制造.pdf

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本公开涉及一种制造半导体器件的方法，包括以下相继步骤：a)在覆盖第一支撑件的锗层上形成掺杂锗；b)以第二支撑件覆盖所述掺杂锗；以及c)去除所述第一支撑件。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112216767 A (43)申请公布日 2021.01.12 (21)申请号 20201

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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