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本公开涉及一种制造半导体器件的方法,包括以下相继步骤:a)在覆盖第一支撑件的锗层上形成掺杂锗;b)以第二支撑件覆盖所述掺杂锗;以及c)去除所述第一支撑件。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112216767 A
(43)申请公布日
2021.01.12
(21)申请号 20201
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