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半导体器件的制造方法以及半导体器件.pdfVIP

半导体器件的制造方法以及半导体器件.pdf

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    提出了一种制造半导体器件的方法。提供碳化硅（SiC）半导体本体（102）。通过至少一个离子注入工艺经由SiC半导体本体（102）的第一表面（108）将离子引入到SiC半导体本体（102）中。此后，在SiC半导体本体（102）的第一表面（108）上形成SiC器件层（110）。在SiC器件层（110）中或之上形成半导体器件元件。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112216601 A (43)申请公布日 2021.01.12 (21)申请号 202010662122.2 (22)申请日 2020.07.10 (30)优先权数据

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