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本发明涉及一种半导体靶材及接插件用铜钛合金的设备及制备方法。本发明的设备，包括加热线圈、真空炉腔体、加热坩埚、冷坩埚及电磁搅拌装置，制备高纯净、均匀化的铜钛合金坯料。通过大变形及固溶、时效工艺，使二次析出相以纳米尺度析出，减少对电子的散射，提高合金的导电率。制备的溅射靶材，晶粒尺寸小于50μm，成分、组织均匀；制备的接插元件、弹性元件，产品厚度至约0.06mm，导电率达19.0％IACS以上。适用于铜钛合金制备溅射靶材、半导体布线的半导体元器件等；适合高强、高导电及高温抗应力松弛的接触线材及箔板
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112210684 A
(43)申请公布日 2021.01.12
(21)申请号 202011100175.1
(22)申请日 2020.10.15
(71)申请人 台州
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