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本发明公开了一种模拟单层单晶六角氮化硼薄膜的制备方法，属于二维材料制备技术领域。包括以下步骤：S1、构建基底材料模型；S2、获得不同边界的hBN纳米带；沿hBN纳米片的扶手椅型BN(BNac)、扶手椅型NB(NBac)、富硼“Z”字型(Bzz)及富氮“Z”字型(Nzz)四种边界剪切，获得不同边界hBN纳米带；S3、构建hBN纳米片或氢钝化hBN纳米片模型；S4、确定最佳的可融合成单晶hBN纳米片的模型；S5、确定氢压范围。本发明基于第一性原理模拟圆形hBN晶粒融合形成单层hBN单晶薄膜的生长过程
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112210832 A
(43)申请公布日 2021.01.12
(21)申请号 202011120600.3
(22)申请日 2020.10.19
(71)申请人 陕西科技大学
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