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本发明属于太阳电池领域,用于可加强P型硅对长波的反射效果,提高太阳电池的短路电流密度,具体涉及一种高效背钝化层的晶硅太阳能电池及其制备方法,包括P型硅,P型硅的背光面由上至下依次设有SiOx钝化层、TiOx减反钝化层、AlOx:H钝化层、SixNy:H减反钝化层、SiOx减反钝化层;解决了现有PERC太阳电池硅片上的氧化铝钝化层对太阳能光长波反射效果一般,既不利于电池对太阳能光长波的利用,也不利于提高太阳电池的短路电流密度的问题。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112234115 A
(43)申请公布日 2021.01.15
(21)申请号 202011068978.3 H01L 31/18 (2006.01)
(22)申请日 2
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