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一种PIN抗静电结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。该PIN抗静电结构包括N型半导体层、形成于所述N型半导体层一侧且呈间隔设置的两个PIN结构，以及形成于所述PIN结构上且与所述PIN结构欧姆接触的第一金属层，其中，两个所述PIN结构之间具有第二金属层，所述第二金属层与所述N型半导体层欧姆接触，且所述第二金属层分别与两个所述PIN结构之间具有间隙。该PIN抗静电结构能够有效提升半导体芯片的抗静电能力，以提高半导体芯片的品质。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112216692 A
(43)申请公布日 2021.01.12
(21)申请号 202011064899.5
(22)申请日 2020.09.30
(71)申请人 厦门市三安集成电路有限公司
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