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一种调控宽禁带半导体材料缺陷及掺杂特性的方法.pdfVIP

一种调控宽禁带半导体材料缺陷及掺杂特性的方法.pdf

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    为克服现有宽禁带半导体材料存在大量自发缺陷，难以获得本征半导体以及难以实现反型掺杂的问题，本发明公开了一种通过外加电压，可控地提高自发缺陷的形成能，同时降低反型掺杂缺陷的形成能，实现本征宽禁带半导体材料制备与反型掺杂的方法。该方法包括以下操作步骤：在生长本征宽禁带半导体材料以及反型掺杂过程中，给自发形成N型导电的宽禁带半导体材料施加正偏压，给自发形成P型导电的宽禁带半导体材料施加负偏压。本发明同时公开了上述方法在制备本征氧化锌以及P型掺杂氧化锌中的应用。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112233973 A (43)申请公布日 2021.01.15 (21)申请号 202011004830.3 (22)申请日 2020.09.22 (71)申请人 南方科技大学 地址

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