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本申请案涉及半导体装置中的沟道导电。一种实例设备包含第一源极/漏极区域及第二源极/漏极区域，所述第一源极/漏极区域及所述第二源极/漏极区域形成于衬底中以形成所述设备的作用区。所述第一源极/漏极区域与所述第二源极/漏极区域由沟道分离。所述设备包含与所述沟道相对的栅极。感测线耦合到所述第一源极/漏极区域且存储节点耦合到所述第二源极/漏极区域。隔离沟槽邻近于所述作用区。所述沟槽包含具有导电偏置的介电材料，所述导电偏置与所述作用区中的所述沟道的所述导电偏置相反。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112216698 A
(43)申请公布日
2021.01.12
(21)申请号 20201
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