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本发明公开了一种单电子记忆胞，包括：单电子晶体管、金氧半场效晶体管和硅基底，单电子晶体管位于金氧半场效晶体管上方，硅基底上表面设有绝缘体；所述单电子晶体管包括字符线、纳米线、悬浮点、能量障壁和控制闸，字符线、纳米线、悬浮点、能力障壁和控制闸均位于硅基底上方绝缘体的同一平面上；所述金氧半场效晶体管包括源极、通道和汲极，通道位于悬浮点的正下面，通道与悬浮点之间有所述绝缘体。通过上述方式，本发明能够使单电子晶体管与金氧半场效晶体管结合，单电子穿隧效应与库伦阻塞效应互相配合且发挥功能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112234065 A
(43)申请公布日 2021.01.15
(21)申请号 202010985439.X
(22)申请日 2020.09.18
(71)申请人 苏州浪潮智能科技有限公司
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