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本发明公开了一种屏蔽栅结构位于有源区、沟槽式场板终端区围绕有源区周围的半导体功率器件。连接在漏金属和源金属(或栅金属)之间的齐纳二极管,用作SD(或GD)箝位二极管。沟槽式场板终端区围绕在有源区的周围,其中,仅有芯片阵列的存在并不会导致集成SD或GD多晶硅箝位二极管时,击穿电压的下降。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112216691 A
(43)申请公布日 2021.01.12
(21)申请号 202011000415.0
(22)申请日 2020.09.22
(30)优先权数据
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