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本发明属于纳米材料制备领域，公开了一种硫化铟纳米片阵列/三维泡沫石墨烯超级电容器电极的制备。首先以泡沫镍为模板通过化学气相沉积法制备三维泡沫石墨烯，然后采用水热合成法在三维泡沫石墨烯的表面生长硫化铟纳米片阵列，得到硫化铟纳米片阵列/三维泡沫石墨烯。该材料用作超级电容器电极材料时，在电流密度为1A/g下具有530.7F/g的高比电容。组装成对称超级电容器后，在电流密度为1A/g下充放电循环1000次后仍具有84.6%的电容保持率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112216525 A
(43)申请公布日
2021.01.12
(21)申请号 20191
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