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半导体存储装置及其制造方法.pdfVIP

半导体存储装置及其制造方法.pdf

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    实施方式涉及一种半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置具备：积层体，将多个导电层隔着绝缘层在第1方向上积层而成；半导体层，贯通所述积层体，在所述第1方向上延伸，且含有金属原子；及存储器膜，包含设置在所述积层体与所述半导体层之间的第1绝缘膜、电荷储存层及第2绝缘膜。所述半导体层包围将所述积层体贯通且在所述第1方向上延伸的第3绝缘膜，所述半导体层内的至少1个晶粒具有包围所述第3绝缘膜的形状。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112216701 A (43)申请公布日 2021.01.12 (21)申请号 20201

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