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一种用于降低晶体管对浅沟槽隔离缺陷(STI)的敏感性的方法，所述方法包括用第一氧化物至少部分地填充形成于半导体装置的衬底中的沟槽，所述沟槽界定STI且包括从所述衬底延伸的缺陷。掩模界定隔离区内的平面区域，所述平面区域包括所述掩模的边缘与所述隔离区的边缘之间的第一横向距离。通过氧化物蚀刻至少部分地去除所述平面区域下方的所述第一氧化物，以暴露所述缺陷的顶部部分。通过半导体蚀刻去除所述缺陷的所述顶部部分。在去除所述缺陷的所述顶部部分之后，用第二氧化物至少部分地填充所述沟槽。在所述STI上方形成分栅晶体
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112216611 A
(43)申请公布日
2021.01.12
(21)申请号 20201
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