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本发明公开了一种应用于半桥电路的新型SiCMOSFET振荡抑制电路,直流母线与第二SiCMOSFET管的漏极、第二钳位电容器的一端及第一回馈模块的一端相连接,第二SiCMOSFET管的源极与第二收集二极管的负极、负载端、第一收集二极管的正极及第一SiCMOSFET管的漏极相连接,第二收集二极管的正极及第二钳位电容器的另一端与第二回馈模块的一端相连接,第一收集二极管的负极与第一钳位电容器的一端及第一回馈模块的另一端相连接,低压源与第一SiCMOSFET管的源极、第二钳位电容器的另一端及第
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112234810 A
(43)申请公布日 2021.01.15
(21)申请号 202010924021.8
(22)申请日 2020.09.04
(71)申请人 西安交通大学
地址
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