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本公开涉及一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：层叠件，设置在由单元区域和连接区域限定的衬底上方；沟道结构，穿过单元区域中的层叠件；以及狭缝，限定在层叠件中。该层叠件包括：第一介电层，在单元区域和连接区域中分隔地堆叠；电极层，在单元区域中以及与狭缝相邻的连接区域的外围中与第一介电层交替设置；以及第二介电层，在远离狭缝的连接区域的中央部分中与第一介电层交替设置。连接区域中狭缝之间的距离大于单元区域中狭缝之间的距离，并且在连接区域的外围和中央部分之间的边界处，设置在相同层上的电极层和第二介电
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112234068 A
(43)申请公布日
2021.01.15
(21)申请号 20201
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