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    本发明实施例涉及静电保护电路设计，公开了一种电路，包括：内部电路、CDM保护单元、以及钳位电路；CDM保护单元包括第一二极管、第二二极管、第一电容、第一电阻模块以及第一NMOS晶体管；第一二极管的负极和正极分别与电源端和第二二极管的负极耦接，第二二极管的正极和负极分别与接地端和第一连接点耦接；第一电容的两端分别与电源端和第一电阻模块耦接，第一电阻模块的另一端与接地端耦接，第一NMOS晶体管的栅极与第一电阻模块以及第一电容的连接端耦接，第一NMOS晶体管的漏极和源极分别与电源端、接地端耦接；第一连

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112234591 A (43)申请公布日 2021.01.15 (21)申请号 20191

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