环形硅陀螺仪结构及其制作工艺和硅陀螺仪传感器.pdfVIP

环形硅陀螺仪结构及其制作工艺和硅陀螺仪传感器.pdf

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本发明涉及陀螺仪技术领域，特别地涉及一种环形硅陀螺仪结构及其制作工艺和硅陀螺仪传感器。该环形硅陀螺仪结构中，将压电结构设置在硅环侧面，由于硅环侧面的面积大于顶面面积，因此，可使压电结构的覆盖面积更大，进而提高压电结构的驱动能力和检测能力。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112212850 A (43)申请公布日 2021.01.12 (21)申请号 202011001721.6 (22)申请日 2020.09.22 (71)申请人诺思（天津）微系统有限责任公司

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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