一种Bi2S3-HfS2范德瓦尔斯异质结薄膜的制备装置及方法.pdfVIP

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2023-05-25 发布于四川
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一种Bi2S3-HfS2范德瓦尔斯异质结薄膜的制备装置及方法.pdf

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本发明公开了一种Bi2S3‑HfS2范德瓦尔斯异质结薄膜的制备方法，包括：步骤一：准备第一燃烧管，取HfCl4粉末置于温区二中心下游方向，取硫粉置于温区二中心上游方向，取基底置于温区一中心处；步骤二：对第一燃烧管密封并进行真空处理后，通过进气口向第一燃烧管内通入惰性气体和还原性气体后，对第一燃烧管的各温度区进行加热，制备得到HfS2薄膜；步骤三：准备第二燃烧管，取Bi2O3粉末置于温区三中心处，取硫粉置于温区四中心上游方向，将步骤二制得的HfS2薄膜作为新基底置于温区三中心下游方向；步骤四，对第

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112226743 A (43)申请公布日 2021.01.15 (21)申请号 202010898928.1 (22)申请日 2020.08.31 (71)申请人西北大学

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