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碳化硅半导体装置具备由MOS结构构成的有源区(40)和电流检测区(37a)，所述MOS结构具备设置于第一导电型的半导体基板(1)的正面的第一导电型的第一半导体层(2)、第二导电型的第二半导体层(3)、第一导电型的第一半导体区(7)、隔着栅极绝缘膜(9)而设置的栅电极(10)、设置于栅电极(10)上的层间绝缘膜(11)以及在第一电极(13)上设置在第二半导体层(3)的表面和第一半导体区(7)的表面的第一电极(13)。电流检测区(37a)的第二半导体层(3)的与半导体基板(1)侧相反的一侧的表面的面
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112219282 A
(43)申请公布日 2021.01.12
(21)申请号 201980036950.0 (74)专利代理机构 北京铭硕知识产权代理有限
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