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宁波大学2020 年博士研究生招生考试初试试题(A 卷) (答案必须写在考点提供的答题纸上) 科目代码： 2604 总分值： 100 科目名称： 半导体器件 一、选择题（单选题，每题1 分，共20 分） 1. 单边突变结的特点是（ ） A. P 区和n 区的掺杂浓度是不均匀的 B. P 区和n 区两边的掺杂浓度差别不大 C. P 区和n 区两边的掺杂浓度有数量级的差别 2. 正偏pn 结耗尽层边界处少子浓度随着正偏电压的增加而（ ） A. 基本不变 B. 线性增加 C. 指数增加 D. 对数增加 3. pn 结正向压降( ) A. 不随温度变化 B. 随着温度的增加略有增加 C. 随着温度的增加急剧增加 D. 随着温度的增加而减少 4. 双极晶体管正向放大状态对应的偏置电压为( ) A. 发射结正偏和集电结正偏 B. 发射结正偏和集电结反偏 C. 发射结反偏和集电结正偏 D. 发射结反偏和集电结反偏 5. 导致小电流下电流放大系数下降的原因是( ) A. 发射结存在载流子产生效应 B. 发射结存在载流子复合效应 C. 基区出现大注入效应 D. 发射区出现大注入效应 6. 为了提升放大用晶体管的放大特性和开关晶体管的开关速度，应该( ) A. 防止重金属原子（如“金” ）进入放大用晶体管和开关晶体管 B. 向放大用晶体管和开关晶体管有控制地掺入一定的金原子 C. 向放大用晶体管掺入金原子，防止金原子进入开关晶体管 D. 防止金原子进入放大用晶体管，向开关晶体管掺入金原子 7. 费米-狄拉克分布函数预测：远远低于费米能级的位置其电子占据的几率趋向于（ ） A. 无穷大 B. 1 C. 0 D. 0.5 8. 随温度升高，Si 的禁带宽度（ ） A. 不清楚 B. 增加 C. 减小 D. 不变 9. 哪支能带的极值对应的电子有效质量最大( ) A. 3 B. 2 C. 无法判断 D. 1 第 1 页 共 3 页 宁波大学2020 年博士研究生招生考试初试试题(A 卷) (答案必须写在考点提供的答题纸上) 科目代码： 2604 总分值： 100 科目名称： 半导体器件 10. Si 的pn 结，正向小偏压下，占据主导的电流分量是( ) A. 产生电流 B. 扩散电流 C. 漂移电流 D. 复合电流 11. 理想MIS （p 型半导体衬底）结构中，高频C-V 特性在强反型区与低频C-V 特性不同的原因是高频 条件下( ) A. 以上均不是 B. 半导体表面附近的电子数量变化跟不上信号变化 C. 半导体发生了深耗尽 D. 半导体表面附近的空穴不能产生 12. 在CMOS 中通常PMOS 栅极采用p+多晶硅而非n+ 多晶硅，其原因是( ) A. p+ 多晶硅栅具有更低电阻率 B. p+多晶硅栅可以做成埋沟器件 C. p+多晶硅栅适合自对准工艺 D. p+多晶硅栅具有较大功函数 13. 理想的NMOS 管的栅氧化层厚度越小，则阈值电压( ) A. 越大 B. 不变 C. 不一定 D. 越小 14. 以下关于MOS 管说法正确的是( ) A. MOS 管工作时电子和空穴都参与导电 B. 温度上升会使导电因子变大 C. MOS 管是电流控制型器件 D. 衬