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本公开提供一种红外焦平面探测器芯片及其制备方法，所述红外焦平面探测器芯片包括位于所述衬底表面内或表面上的呈阵列排列的若干第二导电类型掺杂区；其中，各个所述掺杂区的尺寸沿所述掺杂区阵列中心至所述掺杂区阵列边缘的方向逐渐增大；位于所述掺杂区上方且覆盖所述掺杂区表面和所述衬底表面的介质膜层；位于所述介质膜层上方且设置于所述掺杂区对应位置处的第一电极金属层；其中，所述第一电极金属层通过第一接触孔与其对应的所述掺杂区形成欧姆接触，以构成光敏元。在保证探测器芯片性能的基础上，只通过适当改变掺杂区尺寸(光敏元
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112216710 A
(43)申请公布日 2021.01.12
(21)申请号 202011087144.7
(22)申请日 2020.10.12
(71)申请人 北京智创芯源科技有限公司
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