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本发明公开了一种N阶声学超材料低频隔声结构,涉及机械噪声与环境噪声控制技术领域,所述结构包括多个沿x、y方向阵列扩展的(N‑1)阶声学超材料低频隔声结构,粘接附着在(N‑1)阶声学超材料扩展结构中心的N阶质量块和外部支撑框架,其中,N≥2,当N=2时,二阶声学超材料低频隔声结构包括沿x、y方向阵列扩展的多个声学超材料单元胞和附着于扩展结构中心的二阶质量块;其中,所述结构产生的隔声峰是通过相邻阶次声学超材料的模态耦合反共振效应产生,所述N阶质量块用以增强所述模态耦合反共振效应。本发明具有结构简单、
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112259066 A
(43)申请公布日 2021.01.22
(21)申请号 202011153005.X
(22)申请日 2020.10.23
(71)申请人 西安交通大学
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