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2023-05-26 发布于四川
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本公开是一种氮化镓基电子器件及其制作方法，该方法包括：在衬底上形成Al(In，Ga)N/GaN异质结构；在Al(In，Ga)N/GaN异质结构上形成钝化层；在钝化层上制作槽形标记；以槽形标记为对准标记对钝化层进行刻蚀形成栅槽并淀积栅介质；以槽形标记为对准标记制作金属标记；以金属标记为对准标记形成欧姆接触层；隔离；在栅介质上淀积栅金属。本公开采用槽形标记，避免了高温栅介质沉积前金属对介质生长的污染，将栅介质沉积工艺提高到500‑1000℃，显著提高了栅的可靠性，高温含Au欧姆合金技术与低温不含Au

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112259459 A (43)申请公布日 2021.01.22 (21)申请号 202011128395.5 (22)申请日 2020.10.20 (71)申请人中国

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