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本申请涉及功率半导体器件技术领域,具体而言,涉及一种GaN功率半导体器件及其制造方法。GaN功率半导体器件包括有由下至上依次层叠的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层,及设置于势垒层上的源极、漏极和位于两者之间的栅极,其中栅极包括至少两种不同类型的栅极结构。制造方法包括以下步骤:于一衬底上依次形成缓冲层、沟道层、势垒层、p‑GaN层和第一金属层;刻蚀掉非第一类栅极结构区域的p‑GaN层和第一金属层,形成第一类栅极结构;于势垒层表面上形成源极、漏极和第二类栅极结构。GaN功率半导体器件集成两种或两种以上栅
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112289859 B
(45)授权公告日 2022.02.11
(21)申请号 201910668737.3 (56)对比文件
(22)申请日 2019.07.23
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