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本发明所述的一种非厄米调制下二维光子晶体的拓扑态结构,包括由多层晶胞排列组成的拓扑非平庸层、缺陷层和拓扑平庸层,依次按照拓扑非平庸层、缺陷层、拓扑平庸层、缺陷层、拓扑非平庸层的顺序排列构成。本发明所述的有益效果为:设计具有PT对称构型的二维光子晶体,通过增益系数的改变,实现拓扑相变;构建了由拓扑非平庸结构和拓扑平庸结构形成的边界态,该边界态具有拓扑相和非厄米调制的双重特征;通过源位置的选择,可以让拓扑相调制和非厄米调制分别发挥作用,两者均可以激发单向传输。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112285822 B
(45)授权公告日 2022.06.17
(21)申请号 202011144991.2 G02B 27/00 (2006.01)
(22)申请日 2020.10
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