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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

半导体结构及其形成方法.pdf

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    一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括隔离区和器件区；在基底上形成栅极结构和覆盖基底的层间介质层，层间介质层覆盖栅极结构的侧壁，且层间介质层露出栅极结构的顶部，位于隔离区上的栅极结构作为伪栅极结构，位于器件区上的栅极结构作为器件栅极结构；刻蚀伪栅极结构和伪栅极结构下方部分厚度的基底，形成开口，开口贯穿层间介质层且位于基底中；在开口中形成第一介电层；形成第一介电层后，在器件栅极结构两侧的基底中形成源漏掺杂区。源漏掺杂区是在刻蚀形成开口之后才形成的，形成开口的步骤不易损伤源漏掺

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112289746 A (43)申请公布日 2021.01.29 (21)申请号 20191

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