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半导体元件及其制备方法.pdfVIP

半导体元件及其制备方法.pdf

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    本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一半导体基底、多个第一组导电部件、多个隔离区块、多个第一组支撑柱体以及多个空间，该多个第一组导电部件分开地设置在该半导体基底上方，该多个隔离区块分别地对应设置在相邻对的该多个第一组导电部件之间，该多个第一组支撑柱体分别地对应设置在相邻对的该多个第一组导电部件之间，且分别地对应设置在该多个隔离区块上方，该多个空间分别地对应设置在邻近该多个第一组支撑柱体，且分别地对应设置在该多个隔离区块上方。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112289773 A (43)申请公布日 2021.01.29 (21)申请号 20201

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