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2023-05-26 发布于四川
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三维存储器及其制造方法.pdf

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本发明涉及一种三维存储器及其制造方法，该方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成由栅极层和介电层交替堆叠的堆叠结构；在所述堆叠结构中形成多个沟道结构，所述沟道结构垂直穿过所述堆叠结构并到达所述衬底内；在所述堆叠结构的中形成第一栅线隔槽，所述第一栅线隔槽沿第一方向延伸并将所述多个沟道结构划分成至少两个块存储区，所述第一栅线隔槽包括多个第一隔离区，所述多个第一隔离区将所述第一栅线隔槽隔断形成多个第一子栅线隔槽；以及形成第一连接结构，所述第一连接结构位于至少一个所述第一隔离区上方，沿所述第一方向连接被所述

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112289799 A (43)申请公布日 2021.01.29 (21)申请号 202011178839.6 (22)申请日 2020.10.29 (71)申请人长江存储科技有限责任公司

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