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本发明涉及NAND器件中形成栅极结构间空气间隙的方法，涉及半导体集成电路制造技术，首先将需要形成空气间隙的部分以硅氧化物预先填充，再以氮化硅层覆盖其上，通过刻蚀工艺将栅极结构间的氮化硅层削去中间部分，仅留有侧壁部分以形成夹断结构而形成刻蚀液体进入的通道，利用硅氧化物及氮化硅湿法刻蚀速率的不同，采用对硅氧化物具有高刻蚀选择比的刻蚀液体刻蚀去除硅氧化物预填充部分形成空气间隙，可在保证空气间隙隔离性能的前提下降低对沟槽刻蚀工艺的要求，克服因前层工艺而引起的诸如空气间隙横截面积小，隔离效果降低等问题，最
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112259540 A
(43)申请公布日 2021.01.22
(21)申请号 202011084303.8
(22)申请日 2020.10.12
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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