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本发明属于存储器技术领域，具体涉及一种基于FeS2‑ZrO2‑rGO的柔性阻变存储器及其制备方法，该制备方法的步骤包括：用对苯二甲酸和氯化铁制得Fe‑MOF，然后将MOF在马弗炉中煅烧后转移到通入H2S的管式炉中煅烧得到FeS2，随后用ZrOCl2·8H2O和尿素在FeS2的表面制备ZrO2，再将FeS2‑ZrO2和氧化石墨烯混合后置于反应釜中还原得到FeS2‑ZrO2‑rGO，最后在ITO‑PET基底上制得FeS2‑ZrO2‑rGO膜，并在膜上制备Ag顶电极，得到Ag/FeS2‑ZrO2‑rG
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112250316 A
(43)申请公布日 2021.01.22
(21)申请号 202011170489.9
(22)申请日 2020.10.28
(71)申请人 郭
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