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2023-05-26 发布于四川
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背照式图像传感器的制造方法.pdf

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本申请公开了一种背照式图像传感器的制造方法，涉及半导体制造领域。该背照式图像传感器的制造方法包括在衬底上定义像素单元，像素单元包括MOS管区域和光电二极管区域；在光电二极管区域对应的衬底内形成阱区，阱区的导电类型与衬底的导电类型相反；在MOS管区域形成传输栅极；在光电二极管区域对应的衬底表面形成增反层，增反层的折射率大于衬底的折射率，增反层的厚度为四分之一红光波长；形成层间介质层，层间介质层的折射率小于增反层的折射率；解决了目前一些背照式图像传感器的红光光子效率不高的问题；达到了提高背照式图像传

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112259566 A (43)申请公布日 2021.01.22 (21)申请号 202011096812.2 (22)申请日 2020.10.14 (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司

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