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本发明提供了一种SiOx@C‑CNT‑G复合负极材料,具有多个二次颗粒,所述二次颗粒包括SiOx@C颗粒、碳纳米管和石墨烯片,所述SiOx@C颗粒为外部包覆有纳米碳层的SiOx颗粒,所述SiOx@C颗粒的纳米碳层上原位生长有碳纳米管;所述石墨烯片通过碳纳米管与所述SiOx@C颗粒桥连;SiOx在所述SiOx@C‑CNT‑G复合材料中的质量分数为60~90%。所述石墨烯复合三维结构能够为SiOx颗粒体积膨胀提供空间,同时CNT的原位生长提高了复合材料的电导率和结构稳定性,降低了材料在充放电过程中的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112259728 B
(45)授权公告日 2022.02.11
(21)申请号 202011188478.3 B82Y 40/00 (2011.01)
(22)申请日
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